Inwerter CMOS zbudowany jest z dwóch tranzystorów. Jeden jest tranzystorem z kanałem typu N (NMOS), drugi za z kanałem typu P (PMOS). Symbole obu tranzystorów oraz sposób ich połšczenia w celu zbudowania inwertera pokazuje rysunek poniżem
Rys. 1. Symbole elementów i schemat elektryczny inwertera CMOS.
Na początku okno robocze programu jest puste. Paleta z dostępnymi warstwami umieszczona jest w prawym dolnym rogu ekranu. Podświetlona jest na niej aktualnie używana warstwa. Początkowo zaznaczona jest warstwa polikrzemu (polysilicium). Proces projektowania rozpoczyna się od narysowania bramek polikrzemowych w taki sam sposób jak we wcześniejszym przykładzie z tranzystorem. Tworzymy zatem trzy prostokąty aby uzyskać strukturę przedstawioną na rysunku poniżej (pamiętając o zachowaniu minimalnej szerokości ścieżki polikrzemowej 2 l):
Rys. 2. Utworzenie ścieżki polikrzemowej z trzech prostokątów.
Zmieniamy na palecie warstwę na dyfuzję N+ klikając na Diffusion N+. Rysujemy prostokąt dyfuzji N+ na dole rysunku tak aby przeciął polikrzem. Przecięcie dyfuzji z polikrzemem tworzy kanał tranzystora NMOS.
Zmieniamy warstwę na dyfuzję P+ klikając na Diffusion P+. Następnie rysujemy prostokąt dyfuzji P+ na górze rysunku przecinający warstwę polikrzemu. Przecięcie dyfuzji z polikrzemem tworzy kanał tranzystora PMOS.
Zmieniamy warstwę na wyspę N klikając na N Well. Rysujemy wyspę N- całkowicie otaczającą dyfuzję P+. Reguła nakazuje aby wykraczała ona co najmniej 6 l z każdej strony dyfuzji P+. Po tych czynnościach nasz layout powinien wyglądać następująco:
Rys. 3. Utworzenie tranzystora NMOS i PMOS.
