Model tranzystora MOS.

        Aby określić wartość prądu Ids między drenem a źródłem w funkcji napięć Vd, Vg i Vs, w programie Microwind stosowane są następujące równania, zbliżone do modelu tranzystora MOS Level3 w programie SPICE.

Zakres odcięcia:  V_gs<0

             I_ds=0

Zakres liniowy/nasycenia:  V_gs>V_on

             I_ds=K_eff(W/L_eff)(1+gV_ds)V_de((V_gs-V_t0)-V_de/2)

            gdzie:   

             V_on=1.2 V_t0 - punkt łączący obszar liniowy z podprogowym

             V_on=V_t+g(sqrt(f-V_b)-sqrt(f))

             V_de=min(V_ds, V_dsat)

             V_dsat=V_c+V_sat-sqrt(V_c²-V_sat²)

             V_sat=V_gs-V_t0

             V_c=V_max(L_eff/0.06)

             L_eff=L-2D

             K_eff=KP/(1+q(V_gs-V_t0))

Zakres podprogowy: V_gs<=V_on

              I_ds=I₀(V_gs)exp(q(V_ds-V_on)/nkT)

              I₀(V_gs) - obliczamy, wstawiając w powyższych równaniach V_on w miejsce V_gs

        W powyższych równaniach W oznacza szerokość kanału tranzystora MOS, L jest długością jego kanału, V_t jest napięciem progowym. Nie opisane wielkości występujące we wzorach są parametrami modelu. Parametr transkonduktancji KP obliczany jest z zależności:

              KP_n=(m_ne₀e_rSiO2)/tox

              KP_p=(m_pe₀e_rSiO2)/tox

              gdzie (dla technologii 1.0 mm):

               m_n=510 V/cm²   m_p=270 V/cm²    q=1.6e-19 C    T=300 K

              e_rSiO2=3.9    e₀=8.85e-14 F/m    tox=20 nm    n=2    k=1.381e-23 J/K    

       Wykorzystywane w programie zależności termiczne:

               m=m₀(T/300)^-1.5 

               V_t=V_t0-0.002(T-300)