Program MICROWIND.

     W celu wykonania  poniższych ćwiczeń należy posiadać podstawowe wiadomości z zakresu teorii układów logicznych.

1. Zapoznać się z możliwościami i obsługą programu, opanować podstawowe operacje modyfikacji topografii układu (Draw a box, erase the box, change a layer, add text, add VDD, add VSS, VDD, CLOCK, simulate, write).
2. Używając opcji Simulate MOS Characteristics nanieść punkty pomiarowe na charakterystyki wyjściowe tranzystora. Zmieniając wartości parametrów modelu tranzystora dopasować jak najlepiej symulowane charakterystyki przyrządu do danych eksperymentalnych. Dopasowanie wykonać dla modelu Level1 i Level3. Zaobserwować i wyjaśnić wpływ parametrów użytych modeli na charakterystyki.
3. Zaprojektować inwerter CMOS. Uwaga! Przed rozpoczęciem rysowania wybrać technologię. Sprawdzić zachowanie reguł projektowania, wykonać symulacje poprawności działania. Wydrukować i zamieścić w sprawozdaniu topografię inwertera i przebiegi wykonanych symulacji z wnioskami.
4. Zaprojektować: bramki NAND, NOR oraz XOR. Sprawdzić zachowanie reguł projektowania, wykonać symulacje poprawności działania. Wydrukować i zamieścić w sprawozdaniu topografie bramek i przebiegi wykonanych symulacji z wnioskami. Wygenerować automatycznie topografie komórki NAND i NOR (opcja Compile One Line). Porównać rozmiar komórki i otrzymane wyniki symulacji z topografiami wykonanymi własnoręcznie metodą full-custom.
5. Zbadać wpływ zmiany procesu technologicznego na działanie układu.
6. Wykonać projekt dowolnej, złożonej struktury (25-50 tranzystorów) według wskazówek prowadzącego laboratorium. Preferowane są projekty własne studentów uzgodnione z prowadzącym zajęcia. Przykładowe tematy projektów:

	czterobitowy licznik
	czterobitowa jednostka arytmetyczno-logiczna
	koder BCD - kod siedmiosegmentowy
	mnożarka 2x2 bity
	wzmacniacz operacyjny.